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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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隔离器

27-31GHz隔离器,2.92-K,隔离度15,损耗0.8
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隔离器

20-30GHz隔离器,2.92-K,隔离16,损耗1