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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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°电桥芯片

频率:3-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:18dB
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°两路功分器芯片

频率:2-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:17dB
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功分器

500-6000MHz两路0°功分器,SMA-K