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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
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°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
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隔离器

4-8GHz隔离器,SMA-K,隔离18,损耗0.6
YG400-1
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功分器

4-12GHz三路0°功分器,SMA-K
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功分器

6-13GHz四路0°功分器,SMA-K
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功分器

6-13GHz五路0°功分器,SMA-K
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功分器

4-12GHz八路0°功分器,SMA-K
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隔离器

4.5-5.3GHz微带针隔离器,功率10W,损耗0.4,隔离20dB
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隔离器

4240-4360MHz隔离器,微带针,10W
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功分器

6-8GHz两路0°功分器,SMA-K
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功分器

3400-8500MHz两路0°功分器,N-K
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功分器

4000-12000MHz二路0°功分器,SMA-K
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功分器

4000-12000MHz四路0°功分器,SMA-K
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功分器

4000-12000MHz八路0°功分器,SMA-K
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功分器

5000-7000MHz十六路0°功分器,SMA-K