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单刀三掷 (1)
单片电桥 (1)
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-
电子开关 (11)
10 (6)
20 (7)
15 (1)
12 (1)
-
2 (1)
-
0.6 (1)
-
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-40GHz,损耗:1.2dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1608C-140
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
NC16103C-3040
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC1610C-1830
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1616C-2540
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1611C-2030
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:20ns
NC1671C-2040
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:28-38GHz,损耗:1dB,隔离度:30dB,开关时间:20ns
NC1674C-2838
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:24dB,开关时间:20ns
NC1681C-3337R
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
NC1686C-3337
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
NC1686C-3337R
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
NC16606C-3436
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°两路功分器芯片

频率:26-31GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:20dB
NC6514C-2631U
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反射式 SPST

频率:0-40GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:25dB,
HGC123
...

反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:35dB,
HGC124
...

GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.1dB,隔离度:39dB,
ISW1A
...

GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:37dB,
ISW2B2

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