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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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电桥

频率:24-40GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:20dB,芯片尺寸:1.45*0.7*0.1
AMCP2X03S