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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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表面贴装功率分配/合成器

频率:1.2-1.4GHz,最大增益1.2dBm
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功分器

500-4000MHz,两路0°功分器,SMA-K
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功分器

950-2150MHz四路0°功分器,SMA-K
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功分器

950-1250MHz八路0°功分器,SMA-K
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隔离器

960-1230MHz双结隔离器,隔离38,损耗1,微带针接口
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电桥

1595-2405MHz电桥,相位90°,SMA-K,功率容量200W
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合路器

1800-2200MHz串馈六路功率合成器,两只配对使用,功率容量600W
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合路器

1800-2200MHz串馈六路功率合成器,两只配对使用,功率容量200W
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合路器

1800-2200MHz串馈八路功率合成器,两只配对使用,功率容量150W
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功分器

950-2150MHz两路0°功分器,N-K/N-J
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合路器

700-1000MHz串馈四路功率合成器,两只配对使用,功率容量600W
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合路器

700-1000MHz串馈四路功率合成器,两只配对使用,功率容量200W
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合路器

700-1000MHz串馈三路功率合成器,两只配对使用,功率容量400W
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电桥

1595-2405MHz电桥,90°,SMA-K