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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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开关芯片

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:30dB,
HG123KB
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功分器

2-2.5GHz三路0°功分器,SMA-K
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功分器

2-2.5GHz五路0°功分器,SMA-K
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功分器

400-2700MHz八路0°功分器,SMA-K
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电桥

2200-2400MHz电桥,90°,SMA-K,功率容量50W
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电桥

1595-2405MHz电桥,相位90°,SMA-K,功率容量200W
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电桥

1595-2405MHz电桥,90°,SMA-K
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功分器

2200-2400MHz十八路0°功分器,SSMA-K
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功分器

2200-2400MHz二十四路0°功分器,SSMA-K
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功分器

3000-4000MHz十六路0°功分器,SMA-K
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功分器

3000-4000MHz八路0°功分器,SMA-K