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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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功分器

7.7-8.6GHz十六路0°功分器,SMA-K
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隔离器

9-10GHz隔离器,SMA-K/FD,隔离22,损耗0.4
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功分器

2000-6000MHz两路0°功分器,SMA-K加上接头
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关,SMA-K
TSS537
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反射式 SPDT

频率:0-8GHz,插入损耗:0.65dB,隔离度:35dB,
HGC114-8
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一分二功分器芯片

频率:4.5-6.5GHz,插入损耗:0.35dB,隔离度:23dB
HG124G2
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一分三功分器芯片

频率:4-7GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:25dB
HG134GA
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开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:35dB,
HG127K2A
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一分二功分器芯片

频率:1-9GHz,插入损耗:1dB,隔离度:23dB
IPD-0109
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一分二功分器芯片

频率:2-6GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:24dB
IPD-0206