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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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隔离器

960-1230MHz双结隔离器,隔离38,损耗1,微带针接口
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电桥

2200-2400MHz电桥,90°,SMA-K,功率容量50W
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关,SMA-K
TSS537
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开关

1980-2010MHz单刀三掷大功率开关,功率容量80W
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一分二功分器芯片

频率:2-6GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:24dB
IPD-0206
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:44dB,
ISW2B1
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单刀单掷开关

频率:2-18GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:40dB,芯片尺寸:1.05*1.05*0.1
AMSW0005S
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单刀双掷开关

频率:2-18GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:40dB,芯片尺寸:1.3*0.9*0.1
AMSW0006S