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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:8ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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°电桥芯片

频率:12-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.2dB,隔离度:35dB
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一分三功分器芯片

频率:6-18GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:25dB
IPD-06183
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一分三功分器芯片

频率:12-18GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:27dB
IPD-12183
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一分二功分器芯片

频率:6-18GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:25dB,芯片尺寸:1.5*1*0.1
AMDV0002S
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电桥

频率:6-18GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:30dB,芯片尺寸:1.75*0.85*0.1
AMCP2X01S