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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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一分三功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗:0.3dB,隔离度:29dB
IPD-08123