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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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电桥

频率:6-18GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:30dB,芯片尺寸:1.75*0.85*0.1
AMCP2X01S