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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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开关芯片

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:30dB,
HG123KB
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隔离器

960-1230MHz双结隔离器,隔离38,损耗1,微带针接口
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开关

1980-2010MHz单刀三掷大功率开关,功率容量80W
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反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.45dB,隔离度:35dB,
HGC114-4
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反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:45dB,
HGC114-4D
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全正电,匹配式 SPT

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021
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单刀八掷

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021LP4