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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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隔离器

960-1230MHz双结隔离器,隔离38,损耗1,微带针接口
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开关

2-18GHz单刀三掷开关,SMA-K,隔离60dB,功率容量0.2W
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开关

1000-4000MHz单刀五掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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功分器

300-400MHz两路0°功分器,SMA-K
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开关

1980-2010MHz单刀三掷大功率开关,功率容量80W
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GaAs FET开关

频率:0-3GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:47dB,
ISW-00038T