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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-18GHz,损耗:1.2dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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开关芯片

频率:2-20GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:45dB,
HG123KA-3
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隔离器

960-1230MHz双结隔离器,隔离38,损耗1,微带针接口
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开关

1000-4000MHz单刀五掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关,SMA-K
TSS537
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开关

1980-2010MHz单刀三掷大功率开关,功率容量80W
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:44dB,
ISW2B1
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,
ISW210F
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,
ISW210G
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:50dB,
ISW3B1
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,
ISW310E