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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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全正电,反射式 SPDT

频率:0-26.5GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:35dB,
HGC1018
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反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:35dB,
HGC124
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开关芯片

频率:0-40GHz,插入损耗:2.4dB,隔离度:35dB,
HG128KB
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开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:35dB,
HG127K2A