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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:25-27GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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全正电,反射式 SPDT

频率:0-26.5GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:35dB,
HGC1018
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W SPDT

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,
HGC129
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单刀四掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,
HGC1010LP4