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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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开关芯片

频率:0-8GHz,插入损耗:1dB,隔离度:40dB,
HG133K-2
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反射式 SPDT

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:45dB,
HGC114-12
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单刀双掷

频率:0-13GHz,插入损耗:1.1dB,隔离度:40dB,
HGC1015LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:40dB,
HGC1019LP4