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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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全正电,匹配式 SPT

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021
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单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:45dB,
HGC114LP3
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单刀八掷

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021LP4
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:45dB,
HG134KA-1
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GaAs FET开关

频率:0-10GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:46dB,
ISW-00106T
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单刀双掷开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:40dB,芯片尺寸:1.5*1.5*0.1
AMSW0003S
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单刀单掷开关

频率:2-18GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:40dB,芯片尺寸:1.05*1.05*0.1
AMSW0005S
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单刀双掷开关

频率:2-18GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:40dB,芯片尺寸:1.3*0.9*0.1
AMSW0006S
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开关芯片

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:38dB,1.49*1.10mm×mm
SIS029
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开关芯片

频率:0-15GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:45dB,1.49*1.223mm×mm
SIS032