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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:15-40GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:20-40GHz,损耗:0.9dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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开关芯片

频率:0-8GHz,插入损耗:1dB,隔离度:40dB,
HG133K-2
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:1dB,隔离度:40dB,
HG125KA-1
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隔离器

960-1230MHz双结隔离器,隔离38,损耗1,微带针接口
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反射式 SPDT

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:45dB,
HGC114-12
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:40dB,
HGC1019LP4
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开关芯片

频率:5-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:45dB,
HG127K2
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GaAs FET开关

频率:0-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:47dB,
ISW-0008DT