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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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匹配式 SPT

频率:0-20GHz,插入损耗:2.8dB,隔离度:45dB,
HGC116
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匹配式 SPT

频率:0-20GHz,插入损耗:2.6dB,隔离度:42dB,
HGC116-PD
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单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:45dB,
HGC114LP3
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:45dB,
HG134KA-1
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单刀双掷开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:40dB,芯片尺寸:1.5*1.5*0.1
AMSW0003S