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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15ms
1N21212
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射频开关

DC-12000MHz双刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
L2N22412
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1N21212T
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1N22412T
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压28V,开关时间15ms
1N22812T
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
1N22412
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压28V,开关时间15ms
1N22812
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反射式 SPDT

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:45dB,
HGC114-12
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GaAs FET开关

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:51dB,
ISW-0012DT