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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.4dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:60dB,
ISW-0018DT
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:50dB,
ISW-0018ST
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15ms
1N21212
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射频开关

DC-18000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15mS
1S21218
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射频开关

DC-18000MHz双刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间20ms
2S21218
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射频开关

DC-12000MHz双刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
L2N22412
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:40dB,
HG117K1
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开关芯片

频率:2-20GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:45dB,
HG123KA-3
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:1dB,隔离度:40dB,
HG125KA-1
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:55dB,
HG145KC-1
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射频开关

DC-18000MHz单刀双掷机电开关,工作电压28V,开关时间15mS
1S22818