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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:15-40GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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匹配式 SPDT

频率:0-5GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
HGC114-5D
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反射式 SPDT

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:45dB,
HGC114-12
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.1dB,隔离度:60dB,
HGC1003LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:60dB,
HGC1006LP4
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单刀三掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
HGC1007LP4
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单刀五掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
HGC1011LP4
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单刀双掷

频率:0-13GHz,插入损耗:1.1dB,隔离度:40dB,
HGC1015LP4
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GaAs FET开关

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
ISW-0006DT
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GaAs FET开关

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:51dB,
ISW-0012DT