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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns

频率:0-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:45dB,

型号:HGC126

频率:0-20GHz,插入损耗:2.8dB,隔离度:45dB,

型号:HGC116

频率:0-20GHz,插入损耗:2.6dB,隔离度:42dB,

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:45dB,

频率:0-20GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:45dB,

频率:0-6GHz,插入损耗:1.85dB,隔离度:47dB,

频率:0-10GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:46dB,

频率:0-3GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:47dB,

频率:6-18GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:42dB,芯片尺寸：1.9*1.0*0.1

频率:0-15GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:45dB,1.49*1.223mm×mm

型号:SIS032

品牌	中电科十三所 (1) 中科海高 (4) 华光瑞芯 (1) 芯谷微电子 (3) 国芯微电子 (1) 仕芯半导体 (1)
最小使用频率(MHz)	6000 (1)	-
最大使用频率(MHz)	3000~6000 (2) 10000~15000 (2) 18000~20000 (5) 26000~40000 (2)	-
类别	单刀单掷 (2) 单刀双掷 (3) 单刀四掷 (2) 单刀三掷 (1) 单刀六掷 (2) 单刀八掷 (1)
插入损耗(dB)	1.8~1.85 (4) 1.9~2 (3) 2.5~2.6 (2) 2.8~3 (2)	-
隔离度(dB)	45 (6) 42 (2) 47 (2) 46 (1)	-
功率容量(W)	2 (8)	-
开关结构	电子开关 (1)
开关时间(ns)	10 (2) 30 (2) 15 (2) 20 (3)	-