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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50@3GHzdB,开关时间:5ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4-9GHz,损耗:0.5dB,隔离度:70dB,开关时间:20ns
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15ms
1N21212
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射频开关

DC-12000MHz双刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
L2N22412
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开关

8-18GHz单刀四掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1N21212T
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1N22412T
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压28V,开关时间15ms
1N22812T
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
1N22412
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压28V,开关时间15ms
1N22812
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全正电,匹配式 SPDT

频率:0.1-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC117
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反射式 SPDT

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:45dB,
HGC114-12
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匹配式 SPT

频率:0-10GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:50dB,
HGC118-PD
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单刀双掷

频率:0.1-8GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC117LP4