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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns

频率:0-18GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:60dB,

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:48dB,

型号:HGC113

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:50dB,

型号:HGC112

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:50dB,

型号:HGC115

频率:0.1-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,

型号:HGC120

频率:0-10GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:50dB,

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:55dB,芯片尺寸：1.5*1.0*0.1