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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50@3GHzdB,开关时间:5ns

频率:0-6GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:50dB,

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:52dB,

型号:ISW5

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:53dB,

型号:ISW6

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:53dB,

型号:ISW8