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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns
NC1602C-118A
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:60dB,
ISW-0018DT
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开关

22-40GHz射频开关，单刀双掷，损耗3dB，隔离60dB，2.92-K
DSW9-2R22000-40000-1175

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