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预匹配功率管

频率:0.9GHz-2GHz,增益10dBm,输出功率:48dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:0.9GHz-1.2GHz,增益16dBm,输出功率:51dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:0.9-2GHz,最大增益12dBm
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CS0406-10
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益14dBm,输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
CS0406-15
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益15.2dBm,输出功率:200W,射频端口:贴装焊接
CS0406-200
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:470GHz-610GHz,增益15.8dBm,输出功率:420W,射频端口:贴装焊接
CS0406-420
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:380GHz-480GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CD492
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:410GHz-510GHz,增益16.5dBm,输出功率:490W,射频端口:贴装焊接
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Si 脉冲功率晶体管

频率:1.2GHz-1.4GHz,增益10dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
WD0616
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低噪声放大器

9KHz-3000MHz低噪声放大器,增益15,噪声系数3,SMA-K,功率15dBm
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低噪声放大器

830-850MHz低噪声放大器,增益12,噪声系数1,P-1功率37dBm,SMA-K
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宽带低噪声放大

频率:0.1-18GHz,最大增益:15dB,噪声系数:1.6dB,输出功率:16dBm,5V,36mA
HGC367
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宽带低噪声放大

频率:0.8-18GHz,最大增益:16.5dB,噪声系数:1.9dB,输出功率:18dBm,5V,65mA
HGC364
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低噪声放大器芯片

频率:0.02-1.2GHz,最大增益:16.5dB,噪声系数:1.5dB,输出功率:21dBm,5V,40mA
HG112F8
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GaN 功放芯片

频率:0.03-2.5GHz,最大增益:15dB,,28V
HG152FA