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MEMS带通滤波器

频率:8-10GHz,中心频率插损:1.3dB
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数控移相器芯片

频率:8-10GHz,损耗:7dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:8-10GHz,损耗:6.5dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:8-10GHz,损耗:6.5dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:8-10GHz,LO/RF隔离度:55dB,变频损耗:dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:8.5-10GHz,LO/RF隔离度:dB,变频损耗:dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:9-10GHz,LO/RF隔离度:65dB,变频损耗:dB
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内匹配功率管

频率:9GHz-10GHz,增益8dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:9GHz-10GHz,增益8dBm,输出功率:51dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:9GHz-10GHz,增益8.5dBm,输出功率:51.8dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:9GHz-10GHz,增益8.5dBm,输出功率:52.4dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 表面贴装/安装功率放大器

频率:8.8-10GHz,最大增益20dBm
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GaAs 内匹配功率管

频率:8.8GHz-10GHz,增益7dBm,输出功率:43.5dBm,射频端口:贴装焊接