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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:32
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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均衡器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.1dB,均衡量:3dB
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耦合器

9-10GHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K
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单片均衡器

频率:8-12GHz,插入损耗:1.1dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,
HGC135-4
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗:1dB,
HGC230PD
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单片均衡器

频率:8-12GHz,插入损耗:0.95dB,接口:键合金丝,均衡量:3dB,芯片尺寸:1.0*0.8*0.1
AMEQ1X04S