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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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耦合器

6-18GHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

6000-18000MHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K
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单片均衡器

频率:6-18GHz,插入损耗:1dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
HGC134-6
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单片均衡器

频率:6-18GHz,插入损耗:1dB,接口:键合金丝,均衡量:8dB,
HGC134-8
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单片均衡器

频率:6-18GHz,插入损耗:1dB,接口:键合金丝,均衡量:-3dB,
IEQ-06183N