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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:4.1dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1346C-812
...

数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:4.6dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC13113C-812PD
...

电调衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:25
NC13120C-812
...

数控移相衰减集成芯片

频率:8-11GHz
NC15206C-811SD
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
NC16605C-812
...

无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:RF:8-12GHz,LO/RF隔离度:22dB,变频损耗:8.5dB
NC1710C-812
...

无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:RF:8-12GHz,LO/RF隔离度:22dB,变频损耗:8.5dB
NC1710C-812M
...

I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:8-12GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
NC1729C-812
...

I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:RF:9-12GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:9dB
NC17121C-912
...

多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:8-12GHz,LO/RF隔离度:17dB,变频损耗:dB
NC1723C-812
...

多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:8-12GHz,LO/RF隔离度:47dB,变频损耗:dB
NC17122C-812
...

°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
NC6509C-812
...

°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
NC6509C-812M
...

°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:20dB
NC6509C-812A
...

°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:20dB
NC6536C-812
...

°两路功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:20dB
NC6529C-812

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