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筛选项:
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数控移相器芯片

频率:8-12GHz,损耗:8.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
NC1286C-812PD
...

数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:0.55dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1.75
NC13110C-812
...

数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:2,最大衰减:30
NC1342C-812
...

数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:32
NC1351C-812
...

数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1306C-812
...

数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:4.1dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1346C-812
...

数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:4.6dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC13113C-812PD
...

电调衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:25
NC13120C-812
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
NC16605C-812
...

°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
NC6509C-812
...

°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
NC6509C-812M
...

°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:20dB
NC6509C-812A
...

°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:20dB
NC6536C-812
...

°两路功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:20dB
NC6529C-812
...

°三路功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
NC6512C-812
...

表面贴装/安装数控移相器/延时器

频率:8.5-11GHz，最大增益12dBm
NC3221S-8511

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