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数控衰减器芯片

频率:0-12GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:20,最大衰减:20
NC1362C-112
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1628C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PDM
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC16104C-112
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
NC16605C-812
...

均衡器芯片

频率:2-12GHz,损耗:0.94dB，均衡量：2.4dB
NC6012C-212A/B
...

双工器

双工器频率10.95-12.75&10.95-12.75GHz，SMA-K
ZCB4-C10.95-14.5G-187
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耦合器

1000-14000MHz耦合器，耦合度10dB，SMA-K
ZDC2-12C1-14G-1603
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反射式 SPDT

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:45dB,
HGC114-12
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗:1dB,
HGC230PD
...

GaAs FET开关

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:51dB,
ISW-0012DT
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单片均衡器

频率:1-12GHz,插入损耗:1dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,芯片尺寸：1.0*0.75*0.1
AMEQ1X02S
...

单片均衡器

频率:8-12GHz,插入损耗:0.95dB,接口:键合金丝,均衡量:3dB,芯片尺寸：1.0*0.8*0.1
AMEQ1X04S

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