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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:8-12GHz,LO/RF隔离度:17dB,变频损耗:dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:8-12GHz,LO/RF隔离度:47dB,变频损耗:dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:20dB
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°两路功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:20dB
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°三路功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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滤波器芯片

高通频率:3-12GHz,损耗:2.2dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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GaN 功率放大器模块

频率:8-12GHz,最大增益21dBm
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:12GHz-12GHz,增益7dBm,输出功率:20dBm,射频端口:贴装焊接
NC4118S-12
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:8-12GHz,最大增益27dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:8-12GHz,最大增益25dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:8-12GHz,最大增益27dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:8-12GHz,最大增益20dBm
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低噪声放大器模块

频率:8-12GHz,最大增益32dBm