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数控衰减器芯片

频率:0-12GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:20,最大衰减:20
NC1362C-112
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1628C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PDM
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC16104C-112
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
NC16605C-812
...

均衡器芯片

频率:2-12GHz,损耗:0.94dB，均衡量：2.4dB
NC6012C-212A/B
...

均衡器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.1dB，均衡量：3dB
NC6006C-812
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，工作电压12V,开关时间15ms
1N21212
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射频开关

DC-12000MHz双刀双掷机电开关，工作电压24V,开关时间15ms
L2N22412
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单片均衡器

频率:0-12GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,均衡量:9dB,
HG115JH-1
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，TTL控制，工作电压12V,开关时间15ms
1N21212T
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，TTL控制，工作电压24V,开关时间15ms
1N22412T
...

射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，TTL控制，工作电压28V,开关时间15ms
1N22812T
...

射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，工作电压24V,开关时间15ms
1N22412
...

射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，工作电压28V,开关时间15ms
1N22812

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