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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
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微波开关模块

频率:0-12GHz
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:2,最大衰减:30
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电调衰减器芯片

频率:7-13GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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电调衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:25
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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耦合器

7-12.4GHz双定向耦合器,耦合度10dB,SMA-K
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耦合器

7-12.4GHz双定向耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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数控衰减器芯片

频率:0-12GHz,插入损耗:2.5dB,
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数控衰减器芯片

频率:0.5-12GHz,插入损耗:2dB,
HGC211
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数控衰减器

频率:0.1-13GHz,插入损耗:2.8dB,
HGC2008LP4