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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.8,限幅电平:17dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.9,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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均衡器芯片

频率:14-18GHz,损耗:0.74dB,均衡量:2dB
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隔离器

17-21GHz隔离器,2.92-K,损耗0.8,隔离15
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限幅器芯片

频率:0-18GHz,插入损耗:0.8dB,接口:键合金丝
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:44dB,
ISW2B1
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,
ISW210F
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,
ISW210G
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:50dB,
ISW3B1
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,
ISW310E
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:49dB,
ISW4B1
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:59dB,
ISW410H