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数控衰减器芯片

频率:0-12GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:20,最大衰减:20
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数控衰减器芯片

频率:1-18GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:10
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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限幅器芯片

频率:6-22GHz,损耗:1,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:1dB,隔离度:40dB,
HG125KA-1
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隔离器

8-15GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗1
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耦合器

12-18GHz双定向耦合器,耦合度20dB,SMA-K,功率容量10W
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耦合器

6-18GHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

6000-18000MHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K
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耦合器

1000-14000MHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K
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耦合器

7500-16000MHz耦合器,20dB,SMA-K
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单片均衡器

频率:6-18GHz,插入损耗:1dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
HGC134-6
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单片均衡器

频率:6-18GHz,插入损耗:1dB,接口:键合金丝,均衡量:8dB,
HGC134-8