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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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开关

DC-26500MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15mS
1S2T2426T
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开关

0-18GHz单刀四掷机电开关,USB控制,SMA-K
1S4U1218
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一分开关

0-18GHz单刀六掷机电开关,USB控制,SMA-K
1S6U1218