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最小使用频率
(MHz)
0.01~3100
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3200~10500
(71)
10700~13525
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13550~15850
(25)
16250~19940
(12)
-
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最大使用频率
(MHz)
12400~13400
(61)
13500~15150
(27)
15200~16350
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16500~18500
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19000~20500
(54)
-
筛选
特性
低通
(22)
高通
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带通
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带阻
(1)
中心频率
(MHz)
9250~12500
(17)
13000~14250
(12)
14500~15500
(12)
15722~19000
(13)
19200~20080
(7)
-
筛选
中心频率插损
(dB)
0.2~0.5
(4)
0.6~1
(22)
1.5~2
(28)
3~3.5
(5)
-
筛选
边频最大损耗
(dB)
0.5~0.9
(4)
1~1.5
(34)
1.8~2.2
(51)
2.4~3
(37)
3.5~6
(4)
-
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微波单片控制类
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极化方式
线极化
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圆极化
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耦合度
(dB)
10
(4)
20
(2)
15
(1)
12
(3)
-
筛选
衰减度
(dB)
1~3
(16)
4~6
(18)
7~9
(15)
10~20
(19)
30~40
(11)
-
筛选
插入损耗
(dB)
0.2~0.8
(28)
0.9~1.9
(36)
2~3.4
(23)
3.5~7
(15)
9~15.5
(11)
-
筛选
隔离度
(dB)
0~18
(14)
20~42
(25)
44~50
(18)
52~60
(10)
61~61
(1)
-
筛选
相位
0º
(2)
90º
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抑制度
(dB)
15~32
(19)
35~40
(25)
45~60
(53)
64~75
(17)
80~85
(16)
-
筛选
功率容量
(W)
10
(44)
2
(159)
15
(91)
5
(60)
-
筛选
均衡量
(dB)
0
(3)
3
(2)
-
筛选
步进
(d)
1
(1)
16
(1)
32
(2)
10
(1)
5
(3)
-
(1)
0.25
(2)
0.5
(7)
插入损耗(不含分配损耗)
(dB)
0.6~0.7
(3)
0.8~0.9
(7)
1~1.2
(5)
1.25~1.5
(4)
-
筛选
位数
4位及以下
(2)
6
(4)
6位
(4)
分配路数
(路)
0~2
(13)
3~4
(5)
5~6
(2)
8~8
(1)
-
筛选
开关时间
(ns)
8~10
(18)
15~20
(17)
25~30
(8)
50~280
(2)
20000000~20000000
(2)
-
筛选
芯片滤波器类别
MMIC滤波器
(7)
开关结构
电子开关
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限幅电平
(dBm)
15
(3)
17
(1)
16
(2)
14
(1)
19
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筛选
最大衰减
(dB)
1.75~10
(5)
15.5~31.5
(9)
32~40
(6)
51.5~63
(3)
63.5~63.5
(2)
-
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天线增益(Typ.)
(dBi)
10
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筛选
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12400~20500
x
2~15
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数控衰减器芯片
频率:0.5-18GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
型号:
NC1320C-118
数控衰减器芯片
频率:6-18GHz,损耗:5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
型号:
NC1397C-618A
数控衰减器芯片
频率:6-18GHz,损耗:5.2dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
型号:
NC1397C-618PD
数控衰减器芯片
频率:10-18GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
型号:
NC1370C-1218
电调衰减器芯片
频率:7-13GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
型号:
NC1387C-713
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
型号:
NC1601C-118PD
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
型号:
NC16114C-118
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns
型号:
NC1602C-118A
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:8ns
型号:
NC1607C-118
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
型号:
NC1626C-118
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.4dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
型号:
NC1627C-118
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
型号:
NC1639C-118
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
型号:
NC1639C-118PD
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
型号:
NC1609C-120
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
型号:
NC1624C-120
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:20dB,开关时间:10ns
型号:
NC1625C-120
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