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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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数控衰减器芯片

频率:1-18GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:10
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.8,限幅电平:17dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.9,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:1dB,隔离度:40dB,
HG125KA-1
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隔离器

8-15GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗1
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耦合器

12-18GHz双定向耦合器,耦合度20dB,SMA-K,功率容量10W
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耦合器

6-18GHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

6000-18000MHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K
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耦合器

1000-14000MHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K
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耦合器

7500-16000MHz耦合器,20dB,SMA-K
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射频开关

DC-18000MHz单刀八掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1S8T2418T
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射频开关

DC-18000MHz单刀八掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1S8T1218T
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单片均衡器

频率:1-18GHz,插入损耗:0.95dB,接口:键合金丝,均衡量:8dB,
HGC131-8