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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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微波开关模块

频率:0-18GHz
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数控衰减器芯片

频率:0-18GHz,损耗:2dB,射频端口:键合金丝,步进:32,最大衰减:32
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数控衰减器芯片

频率:15-17GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:32,最大衰减:32
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数控衰减器芯片

频率:0-18GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:3.3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:12-18GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:6-18GHz,损耗:5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:10-18GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns