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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:33-37GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:24dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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°两路功分器芯片

频率:34-36GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:17dB
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滤波器芯片

带通频率:34-36GHz,损耗:2.9dB,抑制度:33dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

带通频率:34-36GHz,损耗:2.9dB,抑制度:31dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

带通频率:34-37GHz,损耗:2.8dB,抑制度:40dB,射频端口:键合金丝
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数控衰减器模块

频率:34-36GHz,最大增益5.5dBm
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限幅器芯片

频率:29-32GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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MEMS带通滤波器

频率:29.35-31.15GHz,中心频率插损:1.2dB
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倍频器芯片

频率:34-36GHz,,倍频比:4,键合金丝
IML-3436-4
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功率放大器芯片

频率:34-37GHz,最大增益:14dB,输出功率:28dBm,5V,0.53mA
HG138F-4