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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB
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硅基带通滤波器

频率:0.5-1.7GHz,中心频率插损:0.8dB
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MMIC巴伦

频率:0.8-2GHz,中心频率插损:6dB
BWBL-R8/2
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MMIC巴伦

频率:1-2GHz,中心频率插损:4.5dB
BWBL-1/2
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MMIC巴伦

频率:1-2.5GHz,中心频率插损:5.5dB
BWBL-1/2R5
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滤波器模块

频率:800-1300MHz
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滤波器模块

频率:1000-1500MHz
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低噪声放大器芯片

频率:0.7-3GHz,增益:29dBm,输出功率:18dBm,噪声:1.6,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:1-3GHz,增益:15dBm,输出功率:13dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:1-1.6GHz,增益:31dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:0.9-1.4GHz,增益:29dBm,输出功率:45dBm,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:1-2GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB