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数控衰减器芯片

频率:0-18GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:16,最大衰减:16
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数控衰减器芯片

频率:0-18GHz,损耗:2dB,射频端口:键合金丝,步进:32,最大衰减:32
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数控衰减器芯片

频率:0-18GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
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数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:3.75
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-18GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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数控衰减器模块

频率:2-18GHz,最大增益2.6dBm
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均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.8dB,均衡量:2.5dB
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均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.4dB,均衡量:3.5dB
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均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.4dB,均衡量:2dB
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:60dB,
ISW-0018DT
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:50dB,
ISW-0018ST