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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB
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MMIC巴伦

频率:0.8-2GHz,中心频率插损:6dB
BWBL-R8/2
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-2GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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°三路功分器芯片

频率:0.8-2.7GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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预匹配功率管

频率:0.9GHz-2GHz,增益10dBm,输出功率:48dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:0.9-2GHz,最大增益12dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:0.8-2GHz,最大增益9dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:0.9-1.5GHz,最大增益40dBm
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表面贴装无源双平衡混频器

频率:0.7-2GHz,最大增益11dBm
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无引线封装混频器

频率:0.7-1.7GHz,最大增益10dBm
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低噪声放大器芯片

频率:0.9-1.5GHz,最大增益:32dB,噪声系数:0.5dB,输出功率:15dBm,5V,45mA
HG112F-1
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低噪声放大器

700-2700MHz低噪声放大器,增益33,噪声系数2,SMA-K
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滤波器

950-1660MHz低通滤波器,≥35dBc@1900-3500MHz