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MEMS带通滤波器

频率:2-2.4GHz,中心频率插损:2.2dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.17-2.2GHz,中心频率插损:2.5dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.06-2.09GHz,中心频率插损:2dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.06-2.08GHz,中心频率插损:2dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.09-2.11GHz,中心频率插损:2.5dB
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FBAR封装滤波器

频率:2.19-2.21GHz,中心频率插损:1.5dB
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FBAR滤波器芯片

频率:2.17-2.2GHz,中心频率插损:2.5dB
FBF2185U30
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低噪声放大器芯片

频率:2-2.4GHz,增益:28.5dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.05,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:2-2.5GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:2-2.5GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:2-2.5GHz,损耗:5.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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QPSK调制器芯片

QPSK调制器,频率:2.1-2.4GHz,LO/RF隔离度:dB,变频损耗:dB
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°电桥芯片

频率:2.2-2.4GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:dB
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GaAs 内匹配功率管

频率:2.13GHz-2.23GHz,增益14dBm,输出功率:42.5dBm,射频端口:贴装焊接